频率范围:1.2 MHz 至 170 MHz
供电电压:1.62 V 至 3.63 V
功能:输出使能(OE/ /OE)或待机(/ST / ST)
频率容差,工作温度:±50 × 10-6 (-40°C to +125°C)
相位抖动:1.1 ps Typ. (fo = 125MHZ)
封装:2.0 × 1.6 (mm),PLL锁相环技术,可缩短交货时间
SG-8200CJ:爱普生(EPSON) 低抖动可编程晶振、晶体振荡器
SG-8200CJ(可编程晶体振荡器,工作温度可达+125°C)
低抖动可编程晶体振荡器:SG-8200CJ、SG-8201CJ
型号 | 产品编码 | 尺寸 (mm) | MOQ(PCS) |
SG-8200CJ | X1G006211xxxx16 | 2.0 × 1.6 × 0.6 | 5000 |
SG-8201CJ | X1G005981xxxx16 | 2.0 × 1.6 × 0.6 | 5000 |
SG-8200CJ 特征
l 频率范围:1.2 MHz 至 170 MHz
l 供电电压:1.62 V 至 3.63 V
l 功能:输出使能(OE/ /OE)或待机(/ST / ST)
l 频率容差,工作温度:±50 × 10-6 (-40°C to +125°C)
l 相位抖动:1.1 ps Typ. (fo = 125MHZ)
l 封装:2.0 × 1.6 (mm)
l PLL锁相环技术,可缩短交货时间
SG-8200CJ 概述
SG-8200CJ 和 SG-8201CJ 采用爱普生新的低噪声分数倍分频锁相环(Fractional-N PLL)技术,与上一代爱普生可编程*晶体振荡器相比,稳定性提高了约 2 倍,相位抖动减少了 <1/25。
SG-8200CJ 和 SG-8201CJ 可以编程为从 1.2 MHz 到 170 MHz 的任何频率,具有高达 125°C 的宽工作温度范围。
SG-8200CJ 和 SG-8201CJ 非常适合需要小尺寸和/或在恶劣环境中运行的各种消费和工业应用。
SG-8200CJ 规格参数
项目 | 符号 | 规格 | 条件/备注 | ||||||||||||||||||||||||||||
电源电压 | Vcc | 1.80V Typ. | 2.50V Typ. | 3.30V Typ. | |||||||||||||||||||||||||||
1.62V to 1.98V | 2 25V to 2.75V | 2.97V to 3.63V | |||||||||||||||||||||||||||||
输出频率范围 | fo | 1.2MHz to 170MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
储藏温度 | T_stg | -55 °C to +150°C | 作为单一产品存储。 | ||||||||||||||||||||||||||||
工作温度 | T_use | J: -40°C to +125°C | |||||||||||||||||||||||||||||
频率容差*1 | f_tol | J:50×10-6 | T_use = -40 °C to +125 °C | ||||||||||||||||||||||||||||
电流消耗 | lcc | 5.2mA Typ. | 5.4 mA Typ. | 5.6mA Typ. | 1.2 MHz ≤ fo ≤ 25 MHz | 空载,上升/下降时间:默认 | |||||||||||||||||||||||||
7.0 MA Max. | 7.2mA Max. | 7.5mA Max. | |||||||||||||||||||||||||||||
5.4 mA Typ. | 5.7 mA Typ. | 6.1mA Typ. | 25 MHz < fo ≤ 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
7.3 mA Max. | 7.6 mA Max | 8.1mA Max. | |||||||||||||||||||||||||||||
5.7 mA Typ. | 6.3mA Typ. | 7.0mA Typ. | 50 MHz < fo ≤ 75 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
7.7 mA Max. | 8.2 mA Max. | 9.1mA Max. | |||||||||||||||||||||||||||||
6.2 mA Typ. | 6.9mA Typ. | 7.9mA Typ. | 75MHz < fo ≤ 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
8.2 Ma Max. | 9.1mA Max. | 10.4 mA Max. | |||||||||||||||||||||||||||||
6.9mA Typ. | 7.9mA Typ. | 9.1mA Typ. | 100 MHz < fo ≤ 125 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
9.4 mA Max. | 10.7 mA Max. | 12.4 mA Max. | |||||||||||||||||||||||||||||
7.8 mA Typ. | 9.2 mA Typ. | 11.2 mA Typ. | 125 MHz < fo ≤ 170 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
10.4 mA Max. | 12.4 Ma Max. | 15.0mA Max. | |||||||||||||||||||||||||||||
输出禁用电流 | l_dis | 5.0 mA Typ. | 5.0 mA Typ. | 5.1mA Typ. | OE = GND (Active High) | ||||||||||||||||||||||||||
7.2 mA Max. | 7.3 mA Max | 7.4 Ma Max. | |||||||||||||||||||||||||||||
待机电流 | l_std | 0.3 uA Typ. | 0.3 uA Typ. | 0.5 uA Typ. | /ST= GND (Active High) | ||||||||||||||||||||||||||
15.0 uA Max | 15.0 uA Max | 15.0 uA Max. | |||||||||||||||||||||||||||||
对称 | SYM | 45% to 55% | 50 % Vcc Level, L_CMOS≤15 pF | ||||||||||||||||||||||||||||
输出电压 (直流特性) | VOH | 90 % Vcc Min. |
| ||||||||||||||||||||||||||||
VOL | 10 % Vcc Max. | ||||||||||||||||||||||||||||||
输出负载条件 | L_CMOS | 15 pF Max. | |||||||||||||||||||||||||||||
输入电压 | VIH | 70 % Vcc Min. | Pin 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
VIL | 30 % Vcc Max. | ||||||||||||||||||||||||||||||
上升 / 下降时间 | tr/tf | - | Default 'A' Option *2 | Other Options | 20%-80 %Vcc, | ||||||||||||||||||||||||||
2.0 ns Max. | fo > 125 MHz | B: Faster | |||||||||||||||||||||||||||||
2.5 ns Max. | 75MHz< fo ≤ 125 MHz | C: Fast | |||||||||||||||||||||||||||||
4.0 ns Max. | 50 MHz < fo≤ 75MHz | D: Slow | |||||||||||||||||||||||||||||
6.0 ns Max. | fo ≤ 50 MHz | E: slower | |||||||||||||||||||||||||||||
输出禁用时间 (OE) 输出禁用时间 (ST) | tstp_oe | 1 us Max | Measured from the time OE or /ST pin crosses 30 % Vcc | ||||||||||||||||||||||||||||
输出使能时间 (OE) | tsta_oe | 100 ns + 2 clock cycle Max. | Measured from the time OE pin crosses 70s%Voc | ||||||||||||||||||||||||||||
输出使能时间 (ST) | tsta_st | 3 ms Max. | Measured from the time /ST pin crosses 70%Voc | ||||||||||||||||||||||||||||
启动时间 | t_str | 3 ms Max. | Measured from the time Vcc reaches its rated minimum | ||||||||||||||||||||||||||||
相位抖动 | tPJ | 1.2 ps Typ. | fo= 25 MHz, Offset frequency.12 kHz to 5 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
1.2 ps Typ. | fo=50 MHz, Offset frequency:12 kHz to 20 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
1.2 ps Typ. | fo= 75 MHz, Offset frequency:12 kHz to 20 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
1.2 ps Typ. | fo = 100 MHz, Offset frequency:12 kHz to 20 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
1.1 ps Typ. | fo= 125MHz, Offset frequency:12 kHz to 20 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
1.4 ps Typ. | fo= 150 MHz, Offset frequency: 12 kHz to 20 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
1.5 ps Typ. | fo= 170MHz. Offset frequency: 12 kHz to 20 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
频率老化 | f_aging | 这包含在频率容差规范中 | +25°C, first year | ||||||||||||||||||||||||||||
*1频率容差包括初始频率容差、温度变化、电源电压变化、回流漂移、负载漂移和老化(+25°C,1 年)。
引脚 | 名称 | I/O类型 | 功能 | |
1 | OE | Input | Output Enable | High*1 or Open: 从 OUT 引脚输出指定频率 |
Low: OUT 引脚为低电平(用 500 kΩ 下拉),只有输出驱动器被禁用。 | ||||
ST | Input | Standby | High*1*2: 从 OUT 引脚输出指定频率 | |
Low: OUT 引脚为低电平(用 500 kΩ 下拉), 设备进入待机模式。 电源电流减少为 l_std。 | ||||
OE | Input | Output Enable | Low*3 or Open: 从 OUT 引脚输出指定频率 | |
High: OUT 引脚为低电平(用 500 kΩ 下拉)。 只有输出驱动器被禁用。 | ||||
ST | Input | Standby | Low*3*4: 从 OUT 引脚输出指定频率 | |
High: OUT 引脚为低电平(用 500 kΩ 下拉)。 设备进入待机模式。 电源电流减少为 l_std。 | ||||
2 | GND | Power | Ground | |
3 | OUT | Output | 时钟输出 | |
4 | Vcc | Power | 电源 |
*1 如果固定在高电平,请直接连接到 VCC。
*2 如果需要使用 Open,请选择 Output Enable (Active High) 功能。
*3 如果固定在 Low,请直接连接到 GND。
*4 如果需要使用 Open,请选择 Output Enable (Active Low) 功能
型号 | 料号 | 尺寸 (mm) | MOQ (PCS) |
SG-8200CJ | X1G006211xxxx16 | 2.0 × 1.6 × 0.6 | 5000 |
SG-8201CJ | X1G005981xxxx16 | 2.0 × 1.6 × 0.6 | 5000 |
SG-8200CJ 170.000000MHz T J J P A
SG-8201CJ 25.000000MHz T B H P A
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧
①Model ②Package type (CJ: 2.0 mm × 1.6 mm) ③Frequency ④Supply voltage (T: 1.8 V to 3.3 V Typ.)
⑤Frequency tolerance ⑥Operating temperature ⑦Function ⑧Rise / Fall time
Frequency tolerance / ⑥Operating temperature | |
SG-8200CJ | |
JJ | ±50 x 10-6 / -40 °C to +125 °C |
SG-8201CJ | |
BH | ±15 x 10-6 / -40 °C to +105 °C |
DJ | ±25 x 10-6 / -40 °C to +125 °C |
⑦Function | |
P | Output Enable (OE) / Active High |
S | Standby (/ST) / Active High |
Q | Output Enable (/OE ) / Active Low |
T | Standby (/ST) / Active Low |
⑧Rise/Fall time | |
A | Default |
B | Faster |
C | Fast |
D | Slow |
E | Slower |
为保持稳定工作,请在尽可能靠近晶体产品电源端子的位置(Vcc - GND 之间)提供一个 0.1uF 的旁路电容。