SG-8200CJ-拓蒂电子（上海）有限公司

SG-8200CJ：爱普生(EPSON) 低抖动可编程晶振、晶体振荡器

频率范围：1.2 MHz 至 170 MHz
供电电压：1.62 V 至 3.63 V
功能：输出使能（OE/ /OE）或待机（/ST / ST）
频率容差，工作温度：±50 × 10^-6 (-40°C to +125°C)
相位抖动：1.1 ps Typ. （fo = 125MHZ）
封装：2.0 × 1.6 (mm)，PLL锁相环技术，可缩短交货时间

规格参数

SG-8200CJ：爱普生(EPSON) 低抖动可编程晶振、晶体振荡器

SG-8200CJ（可编程晶体振荡器，工作温度可达+125°C）

低抖动可编程晶体振荡器：SG-8200CJ、SG-8201CJ

型号	产品编码	尺寸 (mm)	MOQ(PCS)
SG-8200CJ	X1G006211xxxx16	2.0 × 1.6 × 0.6	5000
SG-8201CJ	X1G005981xxxx16	2.0 × 1.6 × 0.6	5000

SG-8200CJ 特征

l 频率范围：1.2 MHz 至 170 MHz

l 供电电压：1.62 V 至 3.63 V

l 功能：输出使能（OE/ /OE）或待机（/ST / ST）

l 频率容差，工作温度：±50 × 10^-6 (-40°C to +125°C)

l 相位抖动：1.1 ps Typ. （fo = 125MHZ）

l 封装：2.0 × 1.6 (mm)

l PLL锁相环技术，可缩短交货时间

SG-8200CJ 概述

SG-8200CJ 和 SG-8201CJ 采用爱普生新的低噪声分数倍分频锁相环(Fractional-N PLL)技术，与上一代爱普生可编程*晶体振荡器相比，稳定性提高了约 2 倍，相位抖动减少了 <1/25。

SG-8200CJ 和 SG-8201CJ 可以编程为从 1.2 MHz 到 170 MHz 的任何频率，具有高达 125°C 的宽工作温度范围。

SG-8200CJ 和 SG-8201CJ 非常适合需要小尺寸和/或在恶劣环境中运行的各种消费和工业应用。

SG-8200CJ 规格参数

项目

符号

规格

条件/备注

电源电压

Vcc

1.80V Typ.

2.50V Typ.

3.30V Typ.

1.62V to 1.98V

2 25V to 2.75V

2.97V to 3.63V

输出频率范围

1.2MHz to 170MHz

储藏温度

T_stg

-55 °C to +150°C

作为单一产品存储。

工作温度

T_use

J: -40°C to +125°C

频率容差*1

f_tol

J:50×10^-6

T_use = -40 °C to +125 °C

电流消耗

lcc

5.2mA Typ.

5.4 mA Typ.

5.6mA Typ.

1.2 MHz ≤ fo ≤ 25 MHz

空载，上升/下降时间：默认

7.0 MA Max.

7.2mA Max.

7.5mA Max.

5.4 mA Typ.

5.7 mA Typ.

6.1mA Typ.

25 MHz < fo ≤ 50 MHz

7.3 mA Max.

7.6 mA Max

8.1mA Max.

5.7 mA Typ.

6.3mA Typ.

7.0mA Typ.

50 MHz < fo ≤ 75 MHz

7.7 mA Max.

8.2 mA Max.

9.1mA Max.

6.2 mA Typ.

6.9mA Typ.

7.9mA Typ.

75MHz < fo ≤ 100 MHz

8.2 Ma Max.

9.1mA Max.

10.4 mA Max.

6.9mA Typ.

7.9mA Typ.

9.1mA Typ.

100 MHz < fo ≤ 125 MHz

9.4 mA Max.

10.7 mA Max.

12.4 mA Max.

7.8 mA Typ.

9.2 mA Typ.

11.2 mA Typ.

125 MHz < fo ≤ 170 MHz

10.4 mA Max.

12.4 Ma Max.

15.0mA Max.

输出禁用电流

l_dis

5.0 mA Typ.

5.1mA Typ.

OE = GND (Active High)
/OE= Vcc (Active Low)

7.2 mA Max.

7.3 mA Max

7.4 Ma Max.

待机电流

l_std

0.3 uA Typ.

0.5 uA Typ.

/ST= GND (Active High)
ST= Vcc (Active Low)

15.0 uA Max

15.0 uA Max.

对称

SYM

45% to 55%

50 % Vcc Level, L_CMOS≤15 pF

输出电压

（直流特性）

V_OH

90 % Vcc Min.

Rise/Fall time		I_OH	I_OL
Default ‘A’ Option *2	Other Options	I_OH	I_OL
fo > 125 MHz	B: Faster	-2.0 mA	2.0 mA
75 MHz < fo ≤ 125 MHz	C: Fast	-1.0 mA	1.0 mA
50 MHz < fo ≤ 75 MHz	D: Slow	-0.5 mA	0.5 mA
fo ≤ 50 MHz	E: Slower	-0.2 mA	0.2 mA

V_OL

10 % Vcc Max.

输出负载条件

L_CMOS

15 pF Max.

输入电压

V_IH

70 % Vcc Min.

Pin 1

V_IL

30 % Vcc Max.

上升 / 下降时间

tr/tf

Default 'A' Option *2

Other Options

20%-80 %Vcc,
L_CMOS=15 pF

2.0 ns Max.

fo > 125 MHz

B: Faster

2.5 ns Max.

75MHz< fo ≤ 125 MHz

C: Fast

4.0 ns Max.

50 MHz < fo≤ 75MHz

D: Slow

6.0 ns Max.

fo ≤ 50 MHz

E: slower

输出禁用时间 (OE)

输出禁用时间 (ST)

tstp_oe
tsip_st

1 us Max

Measured from the time OE or /ST pin crosses 30 % Vcc
or measured from the time /OE or ST pin crosses 70 % Vcc

输出使能时间 (OE)

tsta_oe

100 ns + 2 clock cycle Max.

Measured from the time OE pin crosses 70s%Voc
or measured frorm the time /OE pin crosses 30% Voc

输出使能时间 (ST)

tsta_st

3 ms Max.

Measured from the time /ST pin crosses 70%Voc
or measured from the time ST pin crosses 30 %Voc

启动时间

t_str

3 ms Max.

Measured from the time Vcc reaches its rated minimum
value,1.62V

相位抖动

t_PJ

1.2 ps Typ.

fo= 25 MHz, Offset frequency.12 kHz to 5 MHz

1.2 ps Typ.

fo=50 MHz, Offset frequency:12 kHz to 20 MHz

1.2 ps Typ.

fo= 75 MHz, Offset frequency:12 kHz to 20 MHz

1.2 ps Typ.

fo = 100 MHz, Offset frequency:12 kHz to 20 MHz

1.1 ps Typ.

fo= 125MHz, Offset frequency:12 kHz to 20 MHz

1.4 ps Typ.

fo= 150 MHz, Offset frequency: 12 kHz to 20 MHz

1.5 ps Typ.

fo= 170MHz. Offset frequency: 12 kHz to 20 MHz

频率老化

f_aging

这包含在频率容差规范中

+25°C, first year

*1频率容差包括初始频率容差、温度变化、电源电压变化、回流漂移、负载漂移和老化（+25°C，1 年）。

SG-8200CJ 引脚功能

引脚	名称	I/O类型	功能
1	OE	Input	Output Enable (Active High)	High*1 or Open: 从 OUT 引脚输出指定频率
				Low: OUT 引脚为低电平（用 500 kΩ 下拉），只有输出驱动器被禁用。
	ST	Input	Standby (Active High)	High12: 从 OUT 引脚输出指定频率
				Low: OUT 引脚为低电平（用 500 kΩ 下拉），设备进入待机模式。电源电流减少为 l_std。
	OE	Input	Output Enable (Active Low)	Low*3 or Open: 从 OUT 引脚输出指定频率
				High: OUT 引脚为低电平（用 500 kΩ 下拉）。只有输出驱动器被禁用。
	ST	Input	Standby (Active Low)	Low34: 从 OUT 引脚输出指定频率
				High: OUT 引脚为低电平（用 500 kΩ 下拉）。设备进入待机模式。电源电流减少为 l_std。
2	GND	Power	Ground
3	OUT	Output	时钟输出
4	Vcc	Power	电源

*1 如果固定在高电平，请直接连接到 VCC。

*2 如果需要使用 Open，请选择 Output Enable (Active High) 功能。

*3 如果固定在 Low，请直接连接到 GND。

*4 如果需要使用 Open，请选择 Output Enable (Active Low) 功能

SG-8200CJ 命名规则

型号	料号	尺寸 (mm)	MOQ (PCS)
SG-8200CJ	X1G006211xxxx16	2.0 × 1.6 × 0.6	5000
SG-8201CJ	X1G005981xxxx16	2.0 × 1.6 × 0.6	5000

SG-8200CJ 170.000000MHz T J J P A

SG-8201CJ 25.000000MHz T B H P A

① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧

①Model ②Package type (CJ: 2.0 mm × 1.6 mm) ③Frequency ④Supply voltage (T: 1.8 V to 3.3 V Typ.)

⑤Frequency tolerance ⑥Operating temperature ⑦Function ⑧Rise / Fall time

Frequency tolerance / ⑥Operating temperature
SG-8200CJ
JJ	±50 x 10^-6 / -40 °C to +125 °C
SG-8201CJ
BH	±15 x 10^-6 / -40 °C to +105 °C
DJ	±25 x 10^-6 / -40 °C to +125 °C

⑦Function
P	Output Enable (OE) / Active High
S	Standby (/ST) / Active High
Q	Output Enable (/OE ) / Active Low
T	Standby (/ST) / Active Low

⑧Rise/Fall time
A	Default
B	Faster
C	Fast
D	Slow
E	Slower

SG-8200CJ 外部尺寸 (Unit: mm)

SG-8200CJ External dimensions1.png

为保持稳定工作，请在尽可能靠近晶体产品电源端子的位置（Vcc - GND 之间）提供一个 0.1uF 的旁路电容。

Footprint (Recommended) (Unit: mm)

SG-8200CJ Footprint.png