频率范围：10MHz to 54MHz；输出波形：削峰正弦波(Clipped sine wave)
电源电压：3.3 V Typ.；频率/温度特性：±0.1×10-6 Max. (-40°C至+105°C)
频率斜率：±0.05×10-6/°C Max.温度；频率老化：±3.0×10-6 Max. / 20 years（符合Stratum3）
功能：105°C高温，高稳定性；外部尺寸：5.0×3.2×1.45 mm（10pins）
应用领域：网络同步、BTS、微波、Stratum3、SyncE、IEEE1588
TG5032SKN：爱普生(EPSON) 温补晶振TCXO高稳定性、105ºC高温
TG5032SKN常用频率列表如下：
规格型号 | 产品编码 | MOQ (PCS) |
TG5032SKN 10.000000MHz CAHHGA | X1G006031xxxx14 | 1000 |
TG5032SKN 12.800000MHz CAHHGA | X1G006031xxxx14 | 1000 |
TG5032SKN 19.200000MHz CAHHGA | X1G006031xxxx14 | 1000 |
TG5032SKN 20.000000MHz CAHHGA | X1G006031xxxx14 | 1000 |
TG5032SKN 24.576000MHz CAHHGA | X1G006031xxxx14 | 1000 |
TG5032SKN 25.000000MHz CAHHGA | X1G006031xxxx14 | 1000 |
TG5032SKN 25.600000MHz CAHHGA | X1G006031xxxx14 | 1000 |
TG5032SKN 26.000000MHz CAHHGA | X1G006031xxxx14 | 1000 |
TG5032SKN 30.720000MHz CAHHGA | X1G006031xxxx14 | 1000 |
TG5032SKN 38.400000MHz CAHHGA | X1G006031xxxx14 | 1000 |
TG5032SKN 38.800000MHz CAHHGA | X1G006031xxxx14 | 1000 |
TG5032SKN 40.000000MHz CAHHGA | X1G006031xxxx14 | 1000 |
EPSON 温补晶振TCXO: TG5032SKN
• 频率范围：10MHz to 54MHz
• 输出波形：Clipped Sine output
• 电源电压：3.3 V Typ.
• 频率/温度特性：±0.1×10-6 Max.(-40°C至+105°C)
• 频率斜率：±0.05×10-6/ºC Max.温度
• 频率老化：±3.0×10-6 Max./20年（符合Stratum3）
• 自由运行精度：±4.6×10-6 Max. / 20年（for Stratum3）
• 外部尺寸：5.0×3.2×1.45mm（10pins或4pins）
• 应用领域
网络同步、BTS、微波、Stratum3、SyncE、IEEE1588
• 功能
105ºC高温，高稳定性
网络设备（Network equipment）
• 基站（Base station）
• 微波（Microwave）
同步符合性标准（Sync compliance standards）
• Stratum3
• SyncE
• IEEE1588
TG5032CKN和TG5032SKN是一种具有CMOS或削峰正弦波输出（Clipped Sine output）的高稳定性TCXO
• 需要温度为+105ºC的5G基站和边缘计算，需要室外安装、小型化和无风扇操作
• 与其他TCXO相比，它提供了多种改进，如低温斜率和相位噪声
• 符合GR-1244-CORE Stratum3和G.8262.1、G.8273.2（A级、B级）
• 注意：本产品没有电压控制（Vc）功能
规格 (特征)
项目 | 符号 | CMOS | Clipped sine wave | 条件 / 备注 | |
输出频率范围 | f0 | 10 MHz to 54 MHz | Please contact us about available frequencies. | ||
电源电压 | VCC | 3.3 V ± 5 % | |||
储存温度 | T_stg | -40°C to +105°C | Storage as single product | ||
工作温度 | T_use | -40°C to +105°C | |||
a) 频率稳定度 | f_tol | ± 1.0 × 10-6Max. | After reflow, +25 °C | ||
b) 频率/温度特性 | fo-TC | A: ±0.1 × 10-6 Max. | -40°C to +105°C | ||
c) 频率/负载系数 | fo-Load | ± 0.1 × 10-6 Max. | Load ± 10 % | ||
d) 频率/电压系数 | fo-VCC | ± 0.1 × 10-6 Max. | VCC ± 5 % | ||
e) 频率老化 | f_age | ± 0.5 × 10-6 Max. | +25°C , First year | ||
± 3.0 × 10-6 Max. | +25°C , 20 years | ||||
漂移产生(MTIE, TDEV) | 符合 GR-1244CORE, ITU-T G.8262.1, G.8273.2 | ||||
滞留稳定性 （自由运行精度） | f_hos | ± 4.6× 10-6 Max. / 20 years | This includes Item a), b), c), d) and e) | ||
功耗 | ICC | 7.0 mA Max. | 6.0 mA Max. | 10 MHz ≦ f0 ≦ 26 MHz | |
9.0 mA Max. | 26 MHz < f0 ≦ 40 MHz | ||||
10.0 mA Max. | 26 MHz < f0 ≦ 54 MHz | ||||
占空比 | SYM | 45 % to 55 % | - | GND level (DC cut) | |
输出电压 | VOH | 90 % VCC Min. | - | ||
VOL | 10 % VCC Max. | - | |||
VPP | - | 0.8 V Min. | Peak to Peak | ||
上升/下降时间 | tr/tf | 8.0 ns Max. | - | 10 % VCC to 90 % VCC level | |
启动时间 | t_str | 5.0 ms Max. | T = 0 at 90 % VCC | ||
输出负载条件 | Load | 15 pF | 10 kΩ//10 pF | ||
输入电压 | VIH | 70% VCC Min. | OE terminal (Enable voltage) | ||
VIL | 30% VCC Max. | OE terminal (Disable voltage) | |||
*注：需要了解本规范中未列出的要求，请联系代理-拓蒂电子。
TG5032SKN温补晶振产品名称参数：
(1) 产品名称 (标准形式)
TG5032CKN 38.880000MHz C A H H G A
TG5032SKN 38.880000MHz C A H H G A
① ②③ ④ ⑤ ⑥⑦⑧⑨⑩
① Model ② Output ((C: CMOS, S: Clipped sine wave) ③ Package type (K: 10 pins, M: 4 pins)
④ Frequency ⑤ Supply voltage (C: 3.3V Typ.)
⑥ Frequency / temperature characteristics (A: ±0.1× 10-6 Max.)
⑦ Operating temperature (H: -40 °C to +105 °C) ⑧ OE function ((H: Active High, N: Non)
⑨ Filter function (G: Filter-ON, N: NO-Filter)
⑩ Internal identification code ("A" is default)
(2) 产品型号/ 产品编码 (Blank section is decided by each detail specifications.)
TG5032CKN X1G006021xxxx14
TG5032SKN X1G006031xxxx14
TG5032CMN X1G006041xxxx14
TG5032SMN X1G006051xxxx14
① ② ③ ④ ⑤
① Crystal devices ② Model ③ Pb free code（1：EU RoHS / 2: Pb free）
④ Detail specifications ⑤ Packing（Recommended packing 00：1K pcs/Reel）
Frequency | Part number | |
[MHz] | TG5032CKN (Size: 5.0 x 3.2) | TG5032SKN (Size: 5.0 x 3.2) |
VCC = 3.3 V | VCC = 3.3 V | |
Suffix: CAHHGA | Suffix: SAHHGA | |
10 | X1G006021xxxx14 | X1G006031xxxx14 |
12.8 | X1G006021xxxx14 | X1G006031xxxx14 |
19.2 | X1G006021xxxx14 | X1G006031xxxx14 |
20 | X1G006021xxxx14 | X1G006031xxxx14 |
24.576 | X1G006021xxxx14 | X1G006031xxxx14 |
25 | X1G006021xxxx14 | X1G006031xxxx14 |
25.6 | X1G006021xxxx14 | X1G006031xxxx14 |
30.72 | X1G006021xxxx14 | X1G006031xxxx14 |
38.4 | X1G006021xxxx14 | X1G006031xxxx14 |
38.88 | X1G006021xxxx14 | X1G006031xxxx14 |
40 | X1G006021xxxx14 | X1G006031xxxx14 |
为保持稳定运行，在尽可能靠近晶体产品电源端子的位置（VCC-GND之间）提供0.1μF旁路电容。
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